2SK3475TE12LF
- 发布时间：2020/3/30 9:03:47
- 所属类别：其他未分类 » 其他未分类
- 公 司：深圳市金嘉锐电子有限公司
- 联 系 人：朱先生
2SK3475TE12LF属性
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- PW-Mini-3
- Toshiba
2SK3475TE12LF描述
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
技术: Si
增益: 14.9 dB
输出功率: 630 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PW-Mini-3
封装: Reel
商标: Toshiba
工作频率: 520 MHz
Pd-功率耗散: 3 W
工厂包装数量: 1000
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
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联系方式
- 联系人：朱先生
- 地 址：深圳福田区振兴路华康大厦211
- 邮 编：518000
- 电 话：086-0755-22929859
- 传 真：086-0755-83238620
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