FET - 阵列正品供应Diodes-Incorporated 2N7002DW-7-F,分立半导体产品原厂进口
FET - 阵列正品供应Diodes-Incorporated 2N7002DW-7-F,分立半导体产品原厂进口属性
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
- 1
- Diodes-Incorporated
FET - 阵列正品供应Diodes-Incorporated 2N7002DW-7-F,分立半导体产品原厂进口描述
FET - 阵列正品供应Diodes-Incorporated 2N7002DW-7-F,分立半导体产品原厂进口
数据列表 2N7002DW Datasheet
产品相片 SOT-363
SOT-363
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
其它图纸 SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
PCN 设计/规格 Green Encapsulate Change 09/July/2007
Bond Wire 16/Sept/2008
PCN 其它 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装 ? 1
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 -
包装 ? 剪切带(CT)?
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 230mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 50pF @ 25V
功率 - 最大值 310mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
其它名称 2N7002DW-FDICT
FET - 阵列正品供应Diodes-Incorporated 2N7002DW-7-F,分立半导体产品原厂进口
替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
仓库零件编号 制造商零件编号 制造商 包装
2N7002DW-FDITR-ND 2N7002DW-7-F Diodes Incorporated 带卷(TR)?
2N7002DW-FDIDKR-ND 2N7002DW-7-F Diodes Incorporated szcwdz-Reel??
卷带、切带和?szcwdz-Reels 均采用相同的制造商零件编号。 卷带产品库存可用于履行切带和?szcwdz-Reel 订单,会影响总体可供货数量。