晶体管 - FET AFT20P060-4NR3 MOSFET

晶体管 - FET AFT20P060-4NR3 MOSFET属性

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晶体管 - FET AFT20P060-4NR3 MOSFET描述

AFT20P060-4NR3介绍：
描述 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4
详细描述 射频 Mosfet LDMOS（双） 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM780-4
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 LDMOS（双）
频率 2.17GHz
增益 18.9dB
电压 - 测试 28V
额定电流 -
噪声系数 -
电流 - 测试 450mA
功率 - 输出 6.3W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 OM780-4
供应商器件封装 OM780-4
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沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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