SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3属性

---

SI2323DS-T1-E3描述

SI2323DS-T1-E3 MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 19 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
系列: SI2
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.6 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 16 S
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 43 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 71 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
零件号别名: SI2323DS-E3
单位重量: 40 mg

深圳市川蓝电子科技有限公司
网站：www.chuanlanbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

---

SI2323DS-T1-E3相关产品