SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3属性

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SIS434DN-T1-GE3描述

SIS434DN-T1-GE3 MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Reel
高度: 1.04 mm
长度: 3.3 mm
系列: SIS
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 60 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: SIS434DN-GE3

深圳市川蓝电子科技有限公司
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