SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3属性

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SI4501BDY-T1-GE3描述

SI4501BDY-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 8 V
Id-连续漏极电流: 9.5 A, 6.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms, 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV, 450 mV
Qg-栅极电荷: 25 nC, 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.5 W, 3.1 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
系列: SI4
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 29 S, 24 S
下降时间: 10 ns, 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns, 18 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns, 34 ns
典型接通延迟时间: 16 ns, 22 ns
零件号别名: SI4501BDY-GE3
单位重量: 540 mg
网站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

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