STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4属性
- 特价
- IGBT 晶体管 N-channel MOSFET
- IGBT 晶体管 N-channel MOSFET
- 特价
- ST
STGB10NC60KDT4描述
STGB10NC60KDT4
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 无铅环保
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: STGB10NC60KDT4
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
宽度: 9.35 mm
商标: STMicroelectronics
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2.240 g
网站:www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com