STB80NF10T4
STB80NF10T4属性
- 特价
- MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
- MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
- 特价
- ST
STB80NF10T4描述
STB80NF10T4
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 135 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
封装: Reel
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
系列: STB80NF10
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
宽度: 9.35 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 50 S
下降时间: 60 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 80 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 116 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 4 g
网站:www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com