SI1308EDL-T1-GE3

发布时间：2020/8/3 10:00:32
所属类别：其他未分类 » 其他未分类
公司：深圳市金嘉锐电子有限公司
联系人：朱先生

SI1308EDL-T1-GE3属性

本站价格：
用途：MOSFET
规格：SOT-323-3
市场价格：
生产厂家：Vishay

SI1308EDL-T1-GE3描述

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 132 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 2.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 2.1 mm
系列: SI1
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.25 mm
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 5 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
零件号别名: SI1304BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3
单位重量: 5 mg