NTD5865NLT4G
- 发布时间：2021/9/7 11:14:36
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：深圳市百润电子有限公司
- 联 系 人：梁小姐
NTD5865NLT4G属性
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- ON/安森美
NTD5865NLT4G描述
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 71 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4.4 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12.4 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns
单位重量: 340 mg
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联系方式
- 联系人：梁小姐
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