NVHL040N120SC1

NVHL040N120SC1属性

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NVHL040N120SC1描述

onsemi 1200V SiC MOSFET
安森美半导体1200V SiC MOSFET采用全新技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V SiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特性，工作温度范围为-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽车AEC-Q101标准和RoHS指令。这些MOSFET非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。
特性
额定电压：1200V
100%经UIL测试
高UIS、浪涌电流和雪崩
低导通电阻
阻断电压
高结温
220nC低栅极电荷
高速开关
低电容
符合AEC-Q101标准
无铅，符合RoHS指令
应用
汽车辅助电机驱动
用于电动汽车 (EV)/混合动力电动汽车 (HEV) 的汽车直流/直流转换器
汽车逆变器
汽车板载充电器
AUX电源
工业电源
逆变器
电机驱动器
车载充电器
功率因数校正 (PFC)
升压逆变器
不间断电源 (UPS)
直流-直流转换器
直流-直流逆变器
大功率直流-直流
电动车/混合动力车
电机控制
网络电源
光伏充电
服务器电源
太阳能逆变器

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