CSD17576Q5B

CSD17576Q5B属性

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CSD17576Q5B描述

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详细参数


参数名称

参数值


Source Content uid CSD17576Q5B
Brand Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 1508544431
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 1.17
Samacsys Description CSD17576Q5B, 30-V N-Cannel NexFET Power MOSFET
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 115 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 30 A
最大漏源导通电阻 0.0029 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 196 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 400 A
表面贴装 YES
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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