GD32F103C8T6

GD32F103C8T6属性

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GD32F103C8T6描述

一般说明：GD32F103C8T6
GD32F103C8T6器件是基于Arm®的32位通用微控制器Cortex®-M3RISC内核在处理能力，降低功耗方面具有最佳比率消耗和外围设备。 Cortex®-M3是下一代处理器内核，与嵌套向量中断控制器（NVIC），SysTick计时器和高级调试支持。
GD32F103C8T6器件集成了Arm®Cortex®-M332位处理器内核以108 MHz的频率使用Flash时，访问零等待状态以获得最大效率。它
提供多达3 MB的片上Flash存储器和多达96 KB的SRAM存储器。广泛的连接到两条APB总线的一系列增强型I / O和外围设备。设备提供最多三个12位ADC，最多两个12位DAC，最多十个通用16位定时器，两个基本定时器加上两个PWM高级计时器，以及标准和高级通信接口：多达三个SPI，两个I2C，三个USART，两个UART，两个I2S，一个USBD，一个CAN和一个SDIO。该器件采用2.6至3.6 V电源供电，工作温度范围为–40至+85°C温度范围。多种省电模式提供最大程度的灵活性
唤醒延迟和功耗之间的优化，这一点尤其重要低功耗应用中的考虑因素。上述功能使GD32F103C8T6器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制，电动机驱动器，电源监控器和警报系统等领域，消费和手持设备，POS，车载GPS，可视对讲，PC外设和很快


功能说明：GD32F103C8T6
3.1。 Arm®Cortex®-M3内核
Cortex®-M3处理器是用于嵌入式系统的最新一代Arm®处理器。
开发它是为了提供满足MCU需求的低成本平台
实施，同时减少了引脚数并降低了功耗
出色的计算性能和对中断的高级系统响应。
32位Arm®Cortex®-M3处理器内核
最高108 MHz的工作频率
单周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中断控制器（NVIC）
24位SysTick计时器
Cortex®-M3处理器基于ARMv7架构，同时支持Thumb
和Thumb-2指令集。以下列出的一些系统外围设备也由
Cortex®-M3：GD32F103C8T6
与I代码总线，D代码总线，系统总线，专用总线连接的内部总线矩阵
外围总线（PPB）和调试访问。
嵌套向量中断控制器（NVIC）。
闪存修补程序和断点（FPB）。
数据观察点和跟踪（DWT）。
仪器跟踪宏单元（ITM）。
嵌入式跟踪宏单元（ETM）。
串行线JTAG调试端口（SWJ-DP）。
跟踪端口接口单元（TPIU）。
内存保护单元（MPU）。
3.2。片上存储器GD32F103C8T6
高达3072 KB的闪存
高达96 KB的SRAM
Arm®Cortex®-M3处理器采用哈佛架构，可以单独使用
总线以获取指令并加载/存储数据。 3072 KB的内部Flash和96 KB的内部Flash
内部SRAM最多可用于存储程序和数据，都可以在CPU上进行访问（R / W）
等待状态为零的时钟速度。表2-4。 GD32F103C8T6的内存映射显示
GD32F103C8T6系列设备的内存映射，包括代码，SRAM，外设和
其他预定义区域。
3.3。时钟，重置和电源管理GD32F103C8T6
内部8 MHz工厂调整的RC和外部4至16 MHz晶体振荡器
内部40 KHz RC校准振荡器和外部32.768 KHz晶体振荡器
集成系统时钟PLL
2.6至3.6 V应用电源和I / O
电源监控器：POR（上电复位），PDR（掉电复位）和低电压
探测器（LVD）GD32F103C8T6
时钟控制单元提供一系列频率和时钟功能。这些包括
内部8M RC振荡器（IRC8M），高速晶体振荡器（HXTAL），低速
内部40K RC振荡器（IRC40K），低速晶体振荡器（LXTAL），锁相
环路（PLL），HXTAL时钟监视器，时钟预分频器，时钟多路复用器和时钟门控
电路。 AHB，APB2和APB1域的频率可以分别配置
预分频器。 AHB，APB2和APB1域的最大频率为108 MHz / 108
MHz / 54 MHz。参见图2-8。有关详细信息，请参见GD32F103C8T6时钟树。
GD32F103C8T6复位控制包括三种复位控制：电源复位，系统复位
重置和备份域重置。系统重置将重置处理器核心和外围设备
IP组件（SW-DP控制器和备份域除外）。上电复位
（POR）和掉电复位（PDR）始终处于活动状态，并确保启动正确的操作
从2.6V /下降至2.6V。当VDD低于指定电压时，器件保持复位模式
临界点。嵌入式低压检测器（LVD）监控电源，比较
它达到电压阈值并生成中断，作为警告消息，以引导
MCU变成安全。
电源方案：GD32F103C8T6
VDD范围：2.6至3.6 V，用于I / O的外部电源和内部稳压器。
通过VDD引脚从外部提供。
VSSA，VDDA范围：2.6至3.6 V，用于ADC的外部模拟电源，复位模块，
RC和PLL。 VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。
VBAT范围：1.8至3.6 V，RTC电源，外部时钟32 KHz振荡器和
当VDD不存在时（通过电源开关）备份寄存器。
3.4。开机模式GD32F103C8T6
在启动时，启动引脚用于选择以下三个启动选项之一：
从主闪存启动（默认）
从系统内存启动
从片上SRAM引导
引导加载程序位于内部引导ROM内存（系统内存）中。它用来
如果设备是USB，请使用USART0（PA9和PA10）对闪存进行重新编程。
GD32F103xF / G / I / K，USART1（PA2和PA3）也可用于启动功能。它还可以用于传输和更新闪存代码，数据和向量表部分。
默认情况下，选择从闪存的存储区0引导。它还支持启动
通过在选项字节中设置一个位来从闪存的存储体1中进行选择。





详细参数：GD32F103C8T6
参数名称参数值
生命周期联系制造商
IHS制造商GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码
包装说明LQFP-48
达到合规性代码未知
风险等级5.8
最高速度（MHz）108
内存（字节）闪存64K
内存（字节）SRAM 20K
I / O最高37GD32F103C8T6
计时器GPTM（32位）
计时器GPTM（16位）3
计时器高级TM（16位）1
计时器基本TM（16位）
计时器SysTick（24位）1
定时器WDG 2
计时器RTC 1
连接性USART
连接性I2C 2
连接性SPI 2
连接性USB 2 FS 1
连接性I2S
连接性比较GD32F103C8T6
连接性运算放大器
模拟接口12位ADC单元（CH）2（10）
模拟接口12位DAC单元
封装LQFP48









以下物料均有现货库存：GD32F103C8T6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
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GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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GD32F103C8T6
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