2SA1955FVATPL3Z

2SA1955FVATPL3Z属性

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2SA1955FVATPL3Z描述

产品属性
类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status
停产
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
400 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
12 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
300 @ 10mA，2V
功率 - 最大值
100 mW
频率 - 跃迁
130MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-101，SOT-883
供应商器件封装
CST3
基本产品编号
2SA1955

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