IRF540NSTRLPBF

IRF540NSTRLPBF属性

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IRF540NSTRLPBF描述

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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRF540NSTRLPBF
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006006795
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 65 weeks
风险等级 0.82
Samacsys Description Infineon IRF540NSTRLPBF N-channel MOSFET, 33 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2021-07-23 19:35:33
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas） 185 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 33 A
最大漏极电流 (ID) 33 A
最大漏源导通电阻 0.044 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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