NVMJST1D4N06CLTXG
- 发布时间：2024/12/11 9:05:51
- 所属类别：模块 » MOSFET
- 公 司：兆亿微波（北京）科技有限公司
- 联 系 人：韩
NVMJST1D4N06CLTXG属性
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NVMJST1D4N06CLTXG描述
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TCPAK57
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 198 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 92.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 113 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 217 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
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联系方式
- 联系人：韩
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- 邮 编：100085
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