STD9N80K5
- 发布时间：2025/2/24 9:00:05
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：兆亿微波（北京）科技有限公司
- 联 系 人：韩
STD9N80K5属性
STD9N80K5描述
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Reel
封装: Cut Tape
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- 系列: ISO7841 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-16 通道数量: 4 Channel
联系方式
- 联系人：韩
- 地 址：北京市海淀区上地三街9号E座2层
- 邮 编：100085
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