新器件采用了可提高sic mosfet可靠性

东芝第二代芯片设计，

实现了低输入电容、

低栅极输入电荷以及低漏源导通电阻。

东芝发布：

“可提高碳化硅（sic）mosfet可靠性东芝新器件结构问世”

宽禁带功率半导体

充分利用东芝第二代碳化硅（sic）器件结构的优势，

为高电压产品带来了

极具吸引力的优势。

与传统的硅（si）功率半导体相比，

东芝的sic mosfet具有更高的可靠性、

在高温环境下的出色工作、

高速开关和低导通电阻的特性。

sic mosfet适用于大功率且高效

各类应用，包括工业电源、

太阳能逆变器和ups。

东芝tw070j120b 1200v sic mosfet

具有低导通电阻、低输入电容

和低栅极电荷总量的特性，

可实现高速开关并降低功耗。

目标应用为工业设备用

400v ac输入ac-dc转换器

以及双向dc-dc转换器

（如光伏模块和ups的转换器）。

与1200v硅绝缘栅双极晶体管（igbt）gt40qr21相比，

tw070j120b的关断损耗降低了约80%，

开关时间（下降时间）缩短了约70%。

对低于20a[1]的电流，

新产品还可提供低导通电压。

结合低正向压降

sic肖特基势垒二极管（sbd）

可降低功率损耗。

高栅极电压阀值（4.2至5.8v）

对于避免意外开启或关闭很实用。

由于碳化硅（sic）的介电击穿强度大约是硅（si）的10倍，

因此sic功率器件可以提供高耐压和低压降。

与相同耐压条件下的si相比，

sic器件中的单位面积导通电阻更低。

双极igbt器件，

在si器件中通常用作1000v或更高的高压晶体管。

igbt双极晶体管与两种载流子、

电子和空穴共同作用，

通过将少数载流子和空穴注入漂移层中，

从而降低漂移层的电阻。

双极晶体管的缺点

是由于少数载流子的积累

而在关断时产生的尾电流，

这会增加关断损耗。

由于sic mosfet是单极器件，

即便在高压产品中，

只能通过电子工作，

因此不会产生尾电流；

与si igbt相比，其关断损耗也较低。

sic mosfet能够在高频范围内运行，

这对于si igbt来讲，是很难实现的。

无源元件也有助于设计小型化。

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