使用e-utran new radio dual connectivity（en-dc技术在5g数据速度方面取得了新突破。en-dc技术使移动运营商可以利用4g网络来提高5g速度和覆盖范围。

将40mhz的4g频谱和800mhz的5g毫米波频谱结合在一起，从而使单个终端设备的数据速率达到了5.23gbps。在演示中，三星使用了其包含终端设备和网络产品在内的商用端到端解决方案。其中包括三星galaxy s20智能手机、4g基站、5g基站和4g/5g通用核心网。

使用了en-dc技术，该技术使运营商能够将4g和5g结合起来，以最大程度地利用两个网络的优势，并提高网络速度、覆盖范围和可靠性。该技术还利用了载波聚合。

新的pn544芯片基于欧洲电信标准协会(etsi)制定的最新nfc规范，将能带给手机用户一系列新的非接触式应用，如移动支付、交通和大型活动票务以及直接从手机sim（用户识别模块）卡进行数据共享等，从而改善用户的在途体验。

基于sim卡的标准化nfc芯片组为手机制造商、移动运营商、银行、交通运营商和许多其它业者提供了nfc开发平台，从而为nfc应用奠定了坚实的基础。

同时，标准化进程能帮助其它组织调整业务以支持移动非接触式服务，进一步促进市场成长。

stx7n95k3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。

同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。

stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于的最新一代supermesh3™技术。

新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。