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室内配线的电压损失允许值要视电源引人处的电压值而定

发布时间:2023/4/4 23:09:34 访问次数:145

晶体二极管的伏安特性 二极管的电压、电流关系曲线一伏安特性曲线。整个曲线大致可分成两个部分:正向特性部分和反向特性部分。在正向特性部分中,有一个二极管承受正向电压而未导通的部分,称为死区。

线路的电压损失的大小取决于导线电阻的大小,导线电阻大小与导体的材料、长度和截面积有关,即

r=p-u

式中 r一导线电阻;

p一导线材料系数也称电阻系数;

l一导线长度;

s一导线截面积。

因为配线线路过长,导线截面积过小,必然造成电压损失过大,这样会使用电电器功率不足,甚至发热烧毁,电灯发光效率也大大降低。

所以相关标准对用电设各的受电电压做了如下规定:电动机的受电电压不应低于额定电压的95%;普通照明灯的受电电压不应低于额定电压的95%。室内配线的电压损失允许值要视电源引人处的电压值而定,应该确保受电电压规定值。

晶碎管纽简单应用,半导体与pn结,半导体导电能力介于导体与绝缘体之间的材料称半导体。纯净的半导体称本征半导体,在纯净的半导体中加入某些五价元素,就形成主要由自由电子导电的电子型半导体(n型半导体);而加人某些三价元素,就形成主要由空穴导电的空穴型半导体(p型半导体)。

pn结利用扩散法或合金法把p型半导体和n型半导体结合在一起,在交接面处会囚多数载流子浓度不同而进行扩散,形成一个“pn”结。pn结有一个内电场,由n区指向p区。

当pn结处于正向偏置(p区电位高于n区电位)时,内电场被削弱,在pn结内形成较大的扩散电流(pn结正向导通);而当pn结处于反向偏置时,内电场被加强,漂移越过pn结的电流很小,此电流称为反向漏电流(pn结反向截止)。pn结加正向电压导通,加反向电压截止的现象,称为pn结的单向导电性。

晶体二极管把pn结加上相应的封装和电极引出线,就成为晶体二极管。

(硅二极管死区电压约0.5Ⅴ,锗二极管约0.2v)。导通后工极管两端的管压降(硅二


晶体二极管的伏安特性 二极管的电压、电流关系曲线一伏安特性曲线。整个曲线大致可分成两个部分:正向特性部分和反向特性部分。在正向特性部分中,有一个二极管承受正向电压而未导通的部分,称为死区。

线路的电压损失的大小取决于导线电阻的大小,导线电阻大小与导体的材料、长度和截面积有关,即

r=p-u

式中 r一导线电阻;

p一导线材料系数也称电阻系数;

l一导线长度;

s一导线截面积。

因为配线线路过长,导线截面积过小,必然造成电压损失过大,这样会使用电电器功率不足,甚至发热烧毁,电灯发光效率也大大降低。

所以相关标准对用电设各的受电电压做了如下规定:电动机的受电电压不应低于额定电压的95%;普通照明灯的受电电压不应低于额定电压的95%。室内配线的电压损失允许值要视电源引人处的电压值而定,应该确保受电电压规定值。

晶碎管纽简单应用,半导体与pn结,半导体导电能力介于导体与绝缘体之间的材料称半导体。纯净的半导体称本征半导体,在纯净的半导体中加入某些五价元素,就形成主要由自由电子导电的电子型半导体(n型半导体);而加人某些三价元素,就形成主要由空穴导电的空穴型半导体(p型半导体)。

pn结利用扩散法或合金法把p型半导体和n型半导体结合在一起,在交接面处会囚多数载流子浓度不同而进行扩散,形成一个“pn”结。pn结有一个内电场,由n区指向p区。

当pn结处于正向偏置(p区电位高于n区电位)时,内电场被削弱,在pn结内形成较大的扩散电流(pn结正向导通);而当pn结处于反向偏置时,内电场被加强,漂移越过pn结的电流很小,此电流称为反向漏电流(pn结反向截止)。pn结加正向电压导通,加反向电压截止的现象,称为pn结的单向导电性。

晶体二极管把pn结加上相应的封装和电极引出线,就成为晶体二极管。

(硅二极管死区电压约0.5Ⅴ,锗二极管约0.2v)。导通后工极管两端的管压降(硅二


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