制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFETRoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
配置: Single
Qg-栅极电荷: 38 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 192 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-2
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 20 ns
系列: STB20NM50FD
工厂包装数量: 1000
