制造商: CEL
产品种类: 射频JFET晶体管RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: CEL
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
频率: 20 GHz
增益: 13.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 70 mA
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-X Ceramic (84 C)
封装: Bulk
正向跨导 - 最小值: 40 mS
闸/源截止电压: - 2 V
噪声系数: 0.7 dB
工厂包装数量: 30
