1. 性能参数差异点： 序号 主要区别 AP8012 VIPER12 1 启动电压典型值 DC15.5V DC14.5V 2 关断电压典型值 DC9V DC8V 3 内置MOS管 最小值730V，典型值750V 最小值730V，典型值800V 4 VCC工作电流典型值 4mA 4.5mA 5 工作频率典型值 55kHz 60kHz 2.应用分析及优化条件：
序号 参数差异分析 需要调整的器件 器件调整值 1 启动电压高对系统应用基本没有影响。 无 2 由于关断电压高，实际应用的时候，在电源空载的情况下，VCC电源会降低，如果电压降低到9V以下，会引起芯片当机重启。 变压器 将辅助绕组端的输出电压设置在 12V，确保空载的时候电压不会低于9V。 3 内置MOS耐压低，在浪涌、老化、启动、短路的时侯都会有高压引入，造成MOS击穿。 变压器 RC吸收电路变压器调整参看后面 建议，RC参数建议C=10NF、R=51K。 4 工作电流少，对系统应用没影响，不做修改。 无 5 工作频率比VIPER低5kHz，所以变压器更容易 饱和，饱和后的芯片温度也更高 变压器变压器调整参看后面建议。 变压器参数分析： 为了确保MOS不被击穿，同时变压器不出现饱和现象，我们推荐一下数值：
变压器规格 建议初级圈数 建议感量 建议初级与次级匝比 输出3.3V 输出5V 输出9V 输出12V EE16 140~160T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE19 110~130T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE20 110~130T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE22 100~120T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EF25 90~110T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 EE28 90~110T 2.7~3.3mH 16：1 14：1 8：1 6.15：1 注：初级的反射电压控制在80V以下。初级线圈略大，漏感会增加，如果漏感能够控制在5%以内，圈数增多也是可以的。5V和3.3V的匝比是在输出整流管为肖特基管的条件下计算的
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