制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 550 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 0.07 Ohms at 10 V
晶体管极性: N-Channel
频率: 1.45 GHz to 1.55 GHz
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
增益: 18 dB
输出功率: 45 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H-30265
封装: Tray
最小工作温度: - 40 C
Pd-功率耗散: 175 W
工厂包装数量: 1
类型: RF Power MOSFET
