参数说明:
标准包装:1000个
类别:分离半导体
FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能:标准
漏源极电压:400V
电流连续漏极:10A
不同ID,VGS时的RDS ON最大值:550毫欧@6A,10V
不同ID时的VGS最大值:4V@250UA
不同VGS时的栅极电荷:63NC@10V
不同VDS时的输入电容:1400PF@25V
功率最大值:125W
安装类型:通孔
主要包含型号:
IRF730PBF 现货:200K
IRF740PBF 现货:170K
IRF830PBF 现货:250K
IRF840PBF 现货:220K
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1.品质保证,公司可以对品质造成的损失,包括返工费,材料费承担责任
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