厂家：International Rectifier
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 100 V
FET 类型： N 沟道
技术 MOSFET： （金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 127 A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 150μA
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： D2PAK
封装： Reel
功率耗散： 250 W
工厂包装数量： 800
电流 - 连续漏极（Id）：（25°C 时） 120A（Tc）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6860pF @ 50V
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IRFS4310
IRFS4310ZTRL
单价：面议
数量：18960
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