制造商: Intersil
产品种类: 电池管理
产品: Charge Management
电池类型: Li-Ion
输出电压: 2.7 V to 19.2 V
输出电流: 8 A
最小工作温度: - 10 C
最大工作温度: + 100 C
封装 / 箱体: TQFN-EP-28
封装: Reel
高度: 0.75 mm (Max)
长度: 5 mm
系列: ISL88731
类型: Battery Charger
宽度: 5 mm
商标: Renesas / Intersil
安装风格: SMD/SMT
湿度敏感性: Yes
工厂包装数量: 6000
AOS/万代：
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童：
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器：
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
ST/意法：
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/华邦：
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信：
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
ISL88731CHRTZ-T全球首座5nm芯片工厂开工 2020年初量产
1月26日，台湾南部科学工业园区(STSP)，台积电的Fab 18晶圆厂一期工程顺利奠基。这是台积电在台湾的第四座300mm晶圆厂，也将首次投产5nm新工艺。台积电计划2019年第一季度完成新工厂的建设，并开始设备迁入，2019年第二季度试产，2020年初投入5nm的批量生产。
Fab 18的二期工程将在今年第三季度开工，2020年投入量产，三期工程则计划2019年第三季度建设，2021年量产。
台积电表示，三期工程全部投产后，Fab 18的年产能将达到100万块300mm晶圆。
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将于今年6月退休的台积电董事长张忠谋最后一次参加如此重要的开工仪式。他表示：“Fab 18代表着台积电的三个重要承诺：对未来发展的承诺，对持续推动技术进步的承诺，对台湾的承诺。5nm技术投资预计7000亿台币(约合人民币亿1520元)，其中Fab 18的投资将超过5000亿台币(约合人民币1080亿元)。”
台积电目前在STSP有超过1万名员工，Fab 18全部完工后可提供超过1.4万个工作岗位。
台积电5nm FinFET工艺同时针对高性能计算和移动应用优化，首次引入EUV极紫外光刻，减少多重曝光的复杂性，并能更好地缩小芯片面积。
台积电还重申，3nm工厂未来不会前往美国。
按照张忠谋此前说法，台积电将在2020年开工建设3nm工厂。
