制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: X1-DFN1006-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.78 A
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
配置: Single
封装: Reel
系列: DMN23
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
工厂包装数量: 10000
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AOS/万代：
AO3401 AO3400 AO3402 AO3403 AO3404
AO3406 AO3407 AO3409 AO3414 AO3415
AO4403 AO4405 AO4406 AO4407 AO4409
AO4411 AO4419 AO4423 AO4430 AO4447
AO4455 AOD407 AOD418 AOD444 AOD476
AOD482 AOB409L AOB440 AOT240L AOT404
AOT440 AOTF10N60 AOTF12N60 AOTF20N60 AOTF16N50
FAIRCHILD/仙童：
FQB19N20 FDB2552 FDB5800 FDB2532 FQB4N80
FQB33N10 FQB44N10 FDB3632 FDB8870 FQB34P10
FDD6670 FDD2670 FDD2582 FQD8P10 FQD3P50
FQD2N50 FQD1N60C FDD3N40 FDD3860 FQP17P10
FQP13N50 FDP8870 FQP55N10 FDP3682 FQP27N25
FQP70N10 FQP50N06 FQP65N06 FDP047N08 FQP60N06
FDPF16N50 FQPF4N90C FQPF85N06 FQPF5N80 FQPF4N60C
IR/整流器：
IRF1404S IRF1407S IRFS3307 IRFS3607 IRF2804S
IRF4905S IRF1104S IRL1104S IRF540NS IRF640NS
IRFR110 IRFR9110 IRFR210 IRFR220 IRFR230
IRFR5305 IRLR2905 IRFR3708 IRFR4120 IRLR8113
IRF1404PBF IRF640NPBF IRF1404PBF IRFZ44N IRFB4110PBF
IRL3303 IRF840PBF IRFIZ44N IRLI2505 IRFIB6N60
IRFIBC30G IRFIBC30G IRFIZ48G IRFI830G IRFI1010N
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ST/意法：
STGB7NB60HD STGB6NC60HD L7805CD2T L7808CD2T L7806CD2T
L7812CD2T STB120N4F6 STB150NF04 STB170NF04 STB270N4F3
STB120NF10 LD1117DT33TR LD1117DTTR L78M05ACDT-TR L78M06ACDT-TR
L78M10 L78M18 L78M20 LD1117DT28TR STD12N06
STP10NM65N STP21N65M5 STP35N65M5 STP5N62K3 STF26NM60N
STF34NM60N STF4N52K3 STF6NK70Z STP14NK60Z STP3NK60ZFP
STP3N150 STP20NM50 STP40NF20 STP8NK100Z STP80N20M5
Winbond/华邦：
W25Q128FVFIG W25Q128FVEIG W25Q32BVSSIG W25Q16BVSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q80DVSSIG W25Q256FVEIG W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ
W971GG6KB-25 W25Q64FVSFIG W9825G6JH-6 W25Q64FVSSIQ W971GG6KB-25
W25X10BVSNIG W25X10CLSNIG W25X20BVSNIG W25X20CLSNIG W25X40BVSNIG
W25X40CLSNIG W25Q80BVSSIG W25Q16DVSSIG W25Q32FVSSIG W25Q64BVSFIG
W25Q64FVSSIG W25Q128FVSSIG W25Q128BVFIG W25Q256FVFIG W25Q256FVEIM
MAXIM/美信：
MAX6350AESA MAX6350CSA MAX2235EUP MAX6350ESA MAX6325ESA
MAX6325ACSA MAX6325CSA MAX6225ACSA MAX6225BESA MAX6225ESA
MAX3430CSA MAX774ESA MAX9140EUK MAX1836EUT33 MAX4427ESA
MAX4427CSA MG3500A3-376B MAX797CSE MAX1993ETG MAX6250ESA
MAX6250CSA MAX487CSA MAX3223CAP MAX690EPA MAX481ECPA
MAX223EAI MAX815TCSA MAX4544CSA MAX706SCSA MAX709SCSA
MAX9947ETE MAX696CWE MAX1771CSA MAX489ECSD MAX6338CUB
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DMN2300UFB-7B国产内存即将到来 可业内却判DDR死刑
早在2017年，国内公司进军内存产业的消息便一直甚嚣尘上，其中的代表便是紫光公司，拥有国家政策与资金的扶持之下，终于做出了重要的突破。在今年上半年，凭借英飞凌、奇梦达的基础在DDR3内存上取得了突破，下半年更会推出主流的DDR4内存芯片。似乎中国已经要赶上国外主流水准，但是业内却传出DDR内存已经过时，新的内存即将取代，这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。
DDR全球格局
DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)。最早是由三星提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。如今已经成为21世纪主流的内存规范。
目前世界上主要有3位DRAM领域的大佬，三星、SK海力士以及镁光，这三家占据了市场上95%的份额，国内的厂商也是希望能够打破这种局面，让自己的产品在世界上占有一席之地。
目前来说，市面上主流的内存依然是DDR4，并且DDR5已经蓄势待发，即将进入市场，但即使是这样，DDR内存带宽的提升速度依然跟不上时代的脚步，因此有业界人士提出DDR内存即将淘汰的看法。
HBM的崛起
取代者为带宽更高的HBM内存，2020年就会上市HBM 3内存，2024年则有望生产出HBM 4内存，届时带宽可达8TB/s，单插槽容量可达512GB。
对于DDR内存，可能大家都还有所了解，但是对于HBM内存，也只有那些热衷于DIY组装的玩家才会知晓。目前市面上只有HBM 2内存，核心容量可达8Gb，通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存，每路插槽的带宽可达2TB/s，而到了HBM 4时代，每个CPU支持的容量可达512GB，带宽超过8TB/s。
相比目前AMD的RPYC处理器，其支持8通道DDR4内存，最高容量能达到2TB，但是带宽只有150GB/s，与HBM内存相比还有所差距。
AMD在2015年发布的Fury系列显卡上，首次商用了第一代HBM技术，超高的带宽以及极低的占用面积彻底改变了当时的显卡设计，随后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技术。
总体来说，相比于DDR内存，HBM内存的带宽优势更为明显，在一些需要高带宽的场合中，HBM无疑是更好的选择，比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM支持。
两种内存将长期共存
但目前而言，HBM在短时间内还无法大面积进入市场当中，其中有两个重要原因，一个是目前在桌面端主流的内存依然还是DDR，即便由于HBM在带宽上更具优势，但是由于DDR内存在容量上的极大优势，在短时间内还无法取代;另一个则是成本问题了，这也是最主要的原因，成本的居高不下，让HBM内存还无法快速融入市场。
如同机械硬盘与固态硬盘一样，虽然固态硬盘不论在读写速度还是启动速度等，都远胜于机械硬盘，但是容量以及价格，便制约了其发展。现如今，几乎大多数电脑都还有机械硬盘的存在，固态硬盘在无法在短时间取而代之，换而言之，DDR内存与HBM内存之间的关系也是如此。
并且如今掌握HBM技术的厂家相对更少，比较知名的只有三星与SK海力士，镁光由于HMC技术，因此对于HBM技术并不热衷，因此在可以预见的未来，HBM降低成本的过程将是非常缓慢的。
再一个，全球价值720亿美元的DRAM市场上，仅三星一家就占有了46%的市场份额，SK海力士大约在29%，镁光在收购为其代工内存芯片的华亚科之后，市场份额也在21%，两家韩国公司控制了全球75%的内存市场份额，这种高垄断的形式，也让国内的相关行业非常难受，处处受制。
但是反过来说，在这样高垄断的情况下，尤其是自己还掌握这HBM技术之下，更不会主动去砸自己的饭碗，更何况DDR内存的市场依然广大，利润也更高，除非是镁光主动发力，要不然三星与海力士肯定是要赚足DDR的利润之后，才会考虑推广HBM。
艰难起步的国产内存
而中国在DRAM领域中却没有丝毫的存在感，眼看着如此大的市场却被这些巨头瓜分，但是自己却无能为力。好在紫光公司已经在这个领域中入门，下半年将会继续推出DDR4内存。但值得注意的是，虽然紫光已经正式推出了自己的内存，但是在价格上却与国外的内存相差无几。
这里面，除了紫光量产的DDR3内存太少，无法左右市场价格之外，还有一个原因便是其主要技术都是来自于奇梦达，而这家公司的技术已是十多年前的了，导致在DRAM制作工艺上落后，良品率极低，最后不得不在价格上进行妥协。
并且在晶圆上，大陆企业相较于国外也落后许多，可以这么说，在这条道路上，我国的企业基本都是从零开始。不同于其它行业，可以依靠人力以及资金来解决问题，在这些领域中，唯有技术才是解决一切的关键。
而我们恰恰缺少的就是相关的技术，并且由于头部公司在相关技术人员的把控上异常严格，在引进相关技术人才时，会导致许多的法律问题。前不久就有报道称美光公司去年底选择在美国加州提起诉讼，指控台湾联电及大陆的福建晋华侵犯他们的DRAM专利权，窃取商业机密，这就是国内公司从台湾华亚科等公司抢人才所带来的不利后果之一。
小结
总的来说，目前国内相关企业依然还有很长的一段路要走，不但要打破国外的技术垄断，还要自己进行创新，紫光虽然已经能够进行DDR3内存的量产，并且DDR4在下半年也有望推出，但是采用的依然是别人的技术，这样也只能沿着别人的老路走，即使追上去，也智能跟在别人的后面。
拥有自己的创新技术，是企业在该行业中生存的制胜法宝，虽然在短期内HBM技术暂时不会取代DDR技术，但是长远来看，国内的企业也可以在这方面进行探讨，这样才可能实现弯道超车。
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代理SAMSUNG单片机 三星单片机,S3F9488,S3F9488XZZ-QZ88,S3F9488XZZ-AOB8,S3F8S45,S3F8S45XZZ-QZ85,S3F8S45,S3F8S19,S3F8S19XZZ-QR89,S3F9498,S3F9498XZZ-SO98,S3F9498XZZ-AO98,S3F8S35,S3F8S35XZZ-SO95,S3F8S35XZZ-AO95,S3F8S5A,S3F9454,S3F9454BZZ-SK94,S3F9454BZZ-DK94,S3F9454XZZ-SK84,S3F9454XZZ-DK84,S3F94C8,S3F94C8EZZ-SK98,S3F94C8EZZ-DK98,S3F94C8XZZ-DKB4,S3F94C8XZZ-SKB4,S3F94C8XZZ-VK98,S3F94C4,S3F94C4EZZ-SK94,S3F94C4EZZ-SK94,S3F94C4EZZ-DK94,S3F94C4XZZ-VK94,S3F8S5AXZZ-QZ5A,S3F8S15,S3F8S6B等全系列三星单片机
代理RENESAS单片机 瑞萨单片机:UPD78F9200 UPD78F9201 UPD78F9202 UPD78F9210 UPD78F9211 UPD78F9212 UPD78F9221 UPD78F9222 UPD78F9224 UPD78F9232 UPD78F9234 UPD78F8513 UPD78F0511 UPD78F0515 UPD78F0411 UPD79F8212 UPD79F8234
代理富士通单片机 MB95F262 MB95F263 MB95F264 MB95F272 MB95F273 MB95F274 MB95F282 MB95F283 MB95F284 MB95F698 MB95F564 MB95F634 MB95F636
代理台湾松翰科技单片机 SONIX单片机 系列8-bit单片机:SN8P2602C、SN8P2501C、SN8P2501、SN8P2501B、SN8P2501BP、SN8P2501BSG、SN8P2501BSB、SN8P2501BPB、SN8P2602CSG、SN8P2602CPB、SN8P2602、SN8P2602B、SN8P2602BP、SN8P2602BPB、SN8P2602BSB、SN8P2602BSG、SN8P2604、SN8P2604A、SN8P2604ASB、SN8P2604AKB、SN8P2604ASG、SN8P2604AK、SN8P2704、SN8P2704A、SN8P2704ASG、SN8P2704AK、SN8P2714、SN8P2714SG、SN8P2714KB、SN8P2711、SN8P2711ASG、SN8P2711APB、SN8P27143、SN8P27142、SN8P2624、SN8P2624SG、SN8P2624KB、SN8P2706AP、SN8P2715、SN8P2715S、SN8P2715P、SN8P2612、SN8P2612SG、SN8P2612P、SN8P2613SG、SN8P2613P、SN8P2722、SN8P2722PB、SN8P2722SG
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