型号：STW21NM60ND
品牌：STMicroelectronics
描述：分立式半导体 场效应管
MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 功率140W
产品种类：MOSFET
系列：STW21NM60ND
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：+/- 25 V
漏极连续电流：17 A
导通电阻：220 mOhms
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole/通孔直插
供应商标准封装：TO-247
封装类型：Tube/管装
下降时间：48 ns
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：140 W
上升时间：16 ns
工厂包装数量：30
价格： 面议
数量：18960
备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应功率MOSFET STW21NM60ND
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场效应管分类
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时，管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
