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NFE31PT470C1E9L

发布时间:2018/9/27 11:33:00 访问次数:232 发布企业:深圳市金镇发科技有限公司

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罗森布拉特的分析师Mosesmann在8月底的一份报告中提到英特尔在半导体工艺上的麻烦不只是10nm延期,认为解决这个过程需要很多年,Mosesmann表示英特尔的工艺劣势将持续5年、6年甚至7年。对英特尔工艺落后吃悲观看法的不止他一个,CNBC网站援引Raymond James分析师Chris Caso的报告称,“英特尔最大的战略问题就是他们的10nm工艺延期,我们预计未来两年内英特尔都不会推出10nm服务器芯片。NFE31PT470C1E9L

数据中心:随着市场对数字化服务需求的提高,数据中心正在经历一场变革,转而采用48V直流电源直接供电。传统的硅功率变换模块无法有效地将48V电压一次转化为大多数计算机硬件所要求的低电压。而中间步骤则会降低数据中心的功率效率。GaN可以在输送至服务器和芯片之前将电压从48V降低至负载点电压。这样可以大幅降低电源配送损耗并将变换损耗减少30%。

无线服务:大范围的5G网络覆盖要求运营商部署更高功率和运行频率的设备。鉴于网络运营商不希望提高信号塔设备的尺寸,GaN的功率密度优势可以满足他们的需求。

可再生能源:可再生能源的产生和存储也需要功率变换,因此GaN的效率优势可发挥关键性作用。在可再生能源规划中,通常是采用智能电网的方式存储能源。如果可以在风力涡轮机静止时或太阳能帆板不再吸收阳光时,更高效地将电能转入和转出大储量电池,这将成为一项非常显著的优势。德州仪器与合作伙伴已经证实,GaN能够以90%的效率转化10千瓦的可再生能源,这对于电力企业来说是一个非常出色的性能基准。

未来,GaN将继续扩展至消费者电子产品等应用,打造更薄的平板显示器,并减少可充电设备的能源浪费。

“如果您只是需要3%或4%的能效提升,您可以利用其它很多方法实现,”Masoud说,“但是,如果您希望功率密度翻番,那么GaN则是您的优先选择。


在新一代半导体工艺上,台积电今年量产了7nm工艺,目前主要是苹果A12及华为海思麒麟980处理器,不过这些是移动芯片,AMD的7nm CPU及GPU芯片使用的是台积电的7nm HPC高性能工艺,明年才会大规模量产,英特尔的10nm工艺则是2020年大规模量产,但英特尔之后的7nm工艺投资还是未知数,台积电及三星已经规划了5nm以及3nm工艺,其中台积电的5nm工艺投资计划超过250亿美元,预计2019年试产,2020年量产,而3nm工艺计划投资约为200亿美元,2020年开始建厂,2021年完成设备安装,预计2022年底到2023年初量产。


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