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根据韩媒《DDaily》报导，NH投资证券研究员都贤宇预测，明年SK海力士将比三星电子、美光集团更积极进行投资。预计三星明年DRAM、NAND出货量增加率(与前一年相比)分别是19%、35%;而SK海力士则分别增加23%、40%;美光公司则是分别增加21%和25%。SK海力士将透过清州M15 NAND工厂和明年初在中国无锡市竣工的DRAM工厂扩大供货量。
SK海力士也于12日表示，预计明年第一季开始供给第二代10纳米细微工程适用的8Gb DDR4 DRAM，打算追上竞争企业们的脚步。事实上，三星电子去年11月就已经批量生产第二代10纳米级的8Gb DDR4服务器用的DRAM，更在今年7月领先业界，批量生产第二代10纳米工程适用的16Gb LPDDR4X行动存储器;美光公司最近也开始批量生产10纳米工程适用的12Gb LPDDR4X行动存储器。
虽然在DRAM领域中，SK海力士必须追赶着其他竞争品牌，但在NAND快闪存储器领域则大不相同。4日时，SK海力士才表示今年内将引进PUC(Peri under Cell)技术来量产96层的3D NAND，SK海力士更将其命名「4D NAND」，这也意味着SK海力士想透过展示自家的尖端技术，显示和同业的技术差距。
与此同时，一种基于GaN的全新电源和转化系统正应运而生，它们的功率损耗更低，产生的热量也更少。由于高温会提高运行成本、干扰网络信号并诱发设备故障，这些特性便显得尤为重要。
GaN可处理更高频率和更高能效的电源，与硅组件相比，它可以在尺寸和能耗减半的条件下输送同等的功率。由此便可以提高功率密度，帮助客户在不增大设计空间的同时满足更高的功率要求。
更高的频率交换意味着GaN可以一次转换更大范围的功率，减少复杂装置中的功率变换。由于每次功率变换都会产生新的能耗，这对于很多高压应用都是一项显著的优势。
当然，一项已经持续发展60年的技术不会一夜之间被取代，但经过多年的研究、实际验证和 可靠性测试，GaN定会成为解决功率密度问题的最佳技术。德州仪器已经在高于硅材料的工作温度和电压下，对GaN装置进行了2000万小时的加速可靠性测试。在此测试时间内，远程飞行世界纪录保持者GlobalFlyer可绕地球飞行259,740次。
事实上，SK海力士是全球首家在CTF(Charge Trap Flash)架构上与PUC结合，并成功开发96层的512Gb TLC(Triple Level Cell)NAND。PUC技术是指在掌管存储数据的储存单元(Cell)中，配置下方掌管储存单元的周边部(Peri)回路的技术，类似把建筑物旁边有的停车场(在此指Peri)移动至建筑物地下室的概念。业界也评价SK海力士能以现在NAND的技术基础，在CTF上增加了PUC技术，实现了技术进步。目前三星电子还没有引进这样的技术，加上SK海力士自创了「4D NAND」的名称，由此可见对自身实力的自信。
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