标准包装
IRFD110PBF-ND;part_id=812472;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" />
100
包装
管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 540 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 180pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
文档
图像和媒体 产品相片 4-DIP
产品目录绘图 IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
对该产品感兴趣的顾客还对以下产品感兴趣：
IRFD9110PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
单价7.41000
IRLD110PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
单价7.57000
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
单价7.90000
LM339N
Texas Instruments
IC QUAD DIFF COMPARATOR 14-DIP
单价4.11000
IRFD9014PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
单价6.83000
