S29GL512S10TFI020 NOR闪存特色点
带多功能I/O的CMOS 3.0伏磁芯
65纳米镜像位日蚀技术
用于读取/编程/擦除的单电源（VCC）（2.7 V至3.6伏）
多功能I/O功能
–宽I/O电压范围（VIO）：1.65 V至VCC×16数据总线
异步32字节页读取
512字节编程缓冲区
-在页面倍数中编程，最多为512字节
同一单词选项上的单个单词和多个程序
自动错误检查和纠正（ECC）-内部
带单比特纠错的硬件ecc
扇区擦除
–统一的128 kbyte扇区
暂停和恢复程序和擦除命令操作
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙碌引脚方法
确定设备状态
高级部门保护（ASP）
–每种设备的易失性和非易失性保护方法
部门
两个单独的1024字节一次性程序（OTP）数组可锁定区域
通用闪存接口（CFI）参数表
温度范围/等级
–工业（-40°C至+85°C）
–工业用正极（-40°C至+105°C）
–汽车，AEC-Q100 3级（-40°C至+85°C）
–汽车，AEC-Q100 2级（-40°C至+105°C）
100000个程序/擦除周期
20年数据保留
包装选项
–56针TSOP
–64球LAA强化BGA，13毫米×11毫米
–64球LAE强化BGA，9毫米×9毫米
–56球VBU强化BGA，9毫米×7毫米
S25FL256SAGMFI001
S29GL512S10TFI010
S25FL256SAGNFI000
CY8C20055-24SXIT
S29GL128P11FFI010
S25FL512SAGMFI010
S29GL512S10TFI020
W25Q128JVSIQTR
W25Q32JVSSIQTR
MT25QL128ABA1ESE-0SITTR
MT29F2G08ABAEAWP-IT:ETR
W25Q32JVSSIQ
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
W25Q128JVSIQ
S34ML02G100TFI000
W25Q64JVSSIQ
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
M25P40-VMN6TPB
SST25VF016B-50-4I-S2AF
