FDC6301N

这些双N沟道逻辑电平增强模式领域
场效应晶体管的生产利用飞兆半导体专有的，
高密度DMOS技术。这非常高的密度
特别定制，以最大限度地减少通态电阻的过程。
此装置已特别设计的低电压
作为数字晶体管的替代品的应用。由于偏见
电阻是不是必需的，这些N沟道FET可替代
几个数字晶体管，各种偏置电阻
特点



绝对最大额定值，TA =25°
C，除非其他明智指出
符号参数FDC6301N单位
VDSS，VCC的漏源电压，电源电压为25 V
VGSS，VIN的栅源电压，输入电压1.8 V
编号，漏输出电流/输出电流 - 连续0.22一
- 脉冲0.5
PD最大功率耗散（注1a）
（注1B）
0.9瓦
0.7
TJ和TSTG工作和存储温度范围-55到150°C的
ESD静电放电等级的MIL-STD-883D
人体模型（100PF/ 1500欧姆）
6.0千伏
热特性
RqJA热阻，结到环境（注1a）140°C / W，
RqJC热阻，结到外壳（注1）60°C / W，
FDC6301N Rev.C
为25 V，0.22 A连续，0.5 A峰值。
的RDS（ON）
= 5瓦@的VGS=2.7 V〜
的RDS（ON）
=4瓦的VGS= 4.5 V。
非常低的水平栅极驱动要求允许直接
在3V电路的操作。 VGS（TH）
<1.5V。
栅源齐纳ESD的耐用性。
>6kV的人体模型。