HI3516EV300一级供应海思优质原装正品现货。HI3516EV100HI3516EV200HI3518EV300HI3518EV200HI3516CV300
HI3516CV500 HI3519CV100 等海思全系列型号原装正品供应。
主要特点 处理器内核 ARM Cortex A7@ 900MHz，32KB I-Cache，32KB DCache /128KB L2 cache 支持 Neon 加速，集成 FPU 处理单元 视频编码 H.264 BP/MP/HP，支持 I/P 帧 H.265 Main Profile，支持 I/P 帧 MJPEG/JPEG Baseline 编码 视频编码处理性能 H.264/H.265 编码可支持最大分辨率为 2688x1520，宽 度最大 2688 H.264/H.265 多码流实时编码能力： − 2048x1536@30fps+720x576@30fps − 2304x1296@30fps+720x576@30fps − 2688x1520@15fps+720x576@15fps 支持 JPEG 抓拍 4M（2688x1520）@5fps 支持 CBR/VBR/FIXQP/AVBR/QPMAP/CVBR 六种码 率控制模式 支持智能编码模式 输出码率最高 60Mbps 支持 8 个感兴趣区域（ROI）编码 智能视频分析 集成 IVE 智能分析加速引擎 支持智能运动侦测、周界防范、视频诊断等多种智能 分析应用 视频与图形处理 支持 3D 去噪、图像增强、动态对比度增强处理功能 支持视频、图形输出抗闪烁处理 支持视频、图形 1/15～16x 缩放功能 支持视频图形叠加 支持图像 90、180、270 度旋转 支持图像 Mirror、Flip 功能 8 个区域的编码前处理 OSD 叠加 ISP 支持 4x4 Pattern RGB-IR sensor 3A（AE/AWB/AF），支持第三方 3A 算法 固定模式噪声消除、坏点校正 镜头阴影校正、镜头畸变校正、紫边校正 方向自适应 demosaic gamma 校正、动态对比度增强、色彩管理和增强 区域自适应去雾 多级降噪（BayerNR、3DNR）以及锐化增强 Local Tone mapping Sensor Built-in WDR 2F-WDR 行模式/2F-WDR 帧模式 数字防抖 支持智能 ISP 调节，提供 PC 端 ISP tuning tools 音频编解码 通过软件实现多协议语音编解码 协议支持 G.711、G.726、ADPCM 支持音频 3A（AEC、ANR、AGC）功能 安全引擎 硬件实现 AES/RSA 多种加解密算法 硬件实现 HASH(SHA1/SHA256/HMAC_SHA1/HMAC_SHA256) 内部集成 32Kbit 一次性编程空间和随机数发生器 视频接口 输入 − 支持8/10/12bit RGB Bayer DC时序视频输入，支持 BT.1120输入 − 支持MIPI、LVDS/Sub-LVDS、HiSPi接口 − 支持与SONY、ON、OmniVision、Panasonic等主流 高清CMOS sensor对接 − 兼容多种sensor并行/差分接口电气特性 − 提供可编程sensor时钟输出 − 支持输入最大分辨率为2688x1520 输出 − 支持6/8/16bit LCD输出 − 支持BT656/BT1120输出 音频接口 集成 Audio codec，支持 16bit 语音输入和输出 支持双声道 mic/ line in 输入 支持双声道 line out 输出 支持 I 2S 接口，支持对接外部 Audio codec 外围接口 支持 POR 集成高精度 RTC 集成 4 通道 LSADC 3 个 UART 接口 支持 IR、I 2C、SPI、GPIO 等接口 4 个 PWM 接口 2 个 SDIO2.0 接口 1 个 USB 2.0 HOST/Device 接口 集成 FE PHY；支持 TSO 网络加速 集成 PMC 待机控制单元 外部存储器接口 SDRAM 接口 − 内置1Gbit DDR3/DDR3L SPI NOR Flash 接口 − 支持1、2、4线模式 − 最大容量支持256MB SPI NAND Flash 接口 − 支持1、2、4线模式 − 最大容量支持1GB eMMC5.0 接口
− 4/8bit数据位宽 启动 可选择从 SPI NOR Flash、SPI NAND Flash 或 eMMC 启动 支持安全启动 SDK 提供基于 Huawei LiteOS/Linux-4.9 SDK 包 提供 H.264 的高性能 PC 解码库 提供 H.265 的高性能 PC、Android、iOS 解码库 芯片物理规格 功耗 − 3M30/4M15场景，1W典型功耗 工作电压 − 内核电压为0.9V − IO电压为3.3V（+/-10%） − DDR3 SDRAM接口电压为1.5V − DDR3L SDRAM接口电压为1.35V 封装 − 12mm x 13.3mm，279pin 0.65mm管脚间距， TFBGA 封装
