制造商：Toshiba
客户编号:
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说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 140 V
集电极—基极电压 VCBO: - 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
Pd-功率耗散: 100 W
增益带宽产品fT: 30 MHz
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 83
技术: Si
商标: Toshiba
集电极连续电流: 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 35
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 4.700 g
