6.短路保護和過溫保護：可避免燒LED的情況。
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本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同时将LED中PN结的组合方式进行改变，成功将硅材料的光电能量转换效率提高，进一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。 对于硅材料来说，这是人类使用最广泛的材料之一，主要使用在制造半导体器件和集成电路领域中。不过由于硅材质的特殊性，始终没有涉及至光学领域中，所以硅基LED一直没有实现。 发光二极管内的PN结包含一个P区和N区，这将决定二极管的发光效率。
其中，N区内充满受激的自由电子，P区则具备带正电荷的空穴，吸引着P区的电子。随着电子冲入空穴，电子能级骤降，便可以释放出能量差。 然而不同的半导体材料具备不同的电子和空穴的能量，因此所释放出来的能量便具备一定的差异。 目前应用较为普遍的氮化镓、砷化镓等材料属于直接带隙材料，常用于LED中，它的导带最小值和价带最大值具有同一电子动量，导带底的电子与价带顶的空穴可以通过辐射复合而发光，复合几率大，发光效率高。 而硅作为一种间接带隙半导体材料，其导带最小值和价带最大值的动量值不同，它更倾向于将能量转化为热，而不是光，所以其转换速度和效率都不如其他材料。
而在今年，荷兰埃因霍芬理工大学Erik Bakkers领导的研究团队采用VLS生长纳米硅线成功研制一种新型的硅锗合金发光材料，成功改善上述问题，并且通过该材料研制出一款能够集成到现有芯片中的硅基激光器。该款激光器的研制成功，可能会在未来大幅降低数据传输的成本，并提高效率。 而本次麻省理工团队进一步提升了硅材质的使用概率，提出了一种N区和P区的新型连接方法，将N区和P区从传统的并列排放改为垂直叠放，让二极管内的电子及空穴远离表面和边缘区域，防止电子将电能转换为热量，从而提高发光效率。
FP7183恆流輸出：IC內部有快速回授機制，輸出電流不受電感量、輸入電壓與輸出LED電壓影響。FP7183XR-G1FP7182XR-G1FP7176DX-G1FP7175XR-G1 FP6296XR-G1
