DMP3100L-7正品原装进口现货
DMP3100L-7封装：SOT-23
DMP3100L-7批号：20+
DMP3100L-7品牌：DIODES/美台
以下为公司现货库存，欢迎来电咨询！
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制造商:
Diodes Incorporated
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
2.7 A
Rds On-漏源导通电阻:
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.08 W
通道模式:
Enhancement
配置:
Single
高度:
1 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
DMP3100
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Diodes Incorporated
产品类型:
MOSFET
子类别:
MOSFETs
单位重量:
8 mg
Qorvo推出适合雷达应用的超紧凑GaN X频段前端模块
来源：华强电子网作者：时间：2018-06-25 11:07
Qorvo雷达应用GaN X
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo?, Inc.(纳斯达克代码：QRVO)，今日宣布推出针对下一代有源电子扫描阵列 (AESA) 雷达设计的高性能 X 频段前端模块 (FEM)---QPM2637 和 QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓 (GaN) 产品也符合任务关键型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。
预计到 2022 年，适合雷达应用的 RF 前端组件的需求量将超过 10 亿美元，未来五年的复合年增长率为 9%。由于 GaN 普及率明显超过其他技术选项，因此预计未来五年，国防应用的 RF GaN 器件市场(如雷达、电子战和通信)的复合年增长率将达到 24%。
Qorvo 的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的创新 GaN 技术构建，可实现更高的效率、可靠性、功率和生存性，同时可缩减尺寸、重量和成本。
GaN FEM 在紧凑的单封装中集成了四种功能，包括 RF 开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的砷化镓 (GaAs) 低噪声放大器在不到 100mW 的输入功率条件下都会受损，与之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的输入功率，且不会造成永久损坏。
Qorvo 高性能解决方案总经理 Roger Hall 表示：“利用 Qorvo 经过现场验证的 GaN 技术，客户可解决许多 AESA 雷达系统设计相关挑战，包括提高功率输出和可靠性。新推出的 GaN 模块符合出口要求，提升了我们交付最高级别集成产品(四合一产品)的能力，有助于客户针对任务关键性雷达系统选择尺寸最小但性能最高的 FEM。”
