CSD87330Q3D 电源IC_TLV431BQDBZRQ1 贴片三极管导读
该公司目前拥有两个300mm晶圆厂,分别名为RFAB和DMO56。TI将很多逻辑和嵌入式IC生产外包给代工厂,但模拟芯片主要都是在其自家的工厂生产。
Pahl表示,每年在这两个150mm晶圆厂生产约15亿美元的产品,很大一部分将转移到300mm晶圆厂,从而提高生产率和经济效益。
CSD87330Q3D 电源IC_TLV431BQDBZRQ1 贴片三极管" src="https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/1C/A7/wKhk7WDpRKWAODtwAAB9FkilPQ4191.jpg" />
SN75176BDR 电源IC
SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。
TPS65131TRGERQ1 TPS73701DCQR TPS2421-2DDAR TPS61022RWUR TPS61041DBVR 。
TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。
”石英晶体需要额外的元件来延长其精度 - 随着时间的推移 - 其性能发生变化,超出了可控制的温度变化,他补充说。此外,Solis说,“使用BAW谐振器比使用石英晶体更准确。
CSD87330Q3D 电源IC_TLV431BQDBZRQ1 贴片三极管" src="https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/1C/AC/wKhk7mDpRMeAZBNJAACywBTqcwA563.jpg" />
LQG15HN1N8S02
简而言之,BAW技术的进步为有线和无线网络带来了“更高的性能,更简单的设计,更低的成本和更小的尺寸”,Wong解释道。
。为了把声波留在压电薄膜里震荡,震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。而震荡结构的另一面,压电材料的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大,所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。声波在固体里传播速度为~5000m/s,也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍,所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来,跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。
TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。
LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。
CSD87330Q3D 电源IC_TLV431BQDBZRQ1 贴片三极管" src="https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/1C/A7/wKhk7WDpRNCADnVhAADM2-64Hh4885.jpg" />
相比BAW-SMR,membrane type 较少一部分跟底下substrate接触,不好散热。不过薄膜结构需要足够坚固以至于在后续工艺中不受影响。
合适的BAW压电材料需要high electromechanical coupling coefficient,low electromechanical loss,high thermal stability,还要符合IC工艺技术。石英(quartz)作为常见的压电材料,在高电压和高压力的情况下表现出线性反应,但还没有合适的方法把石英做成薄膜deposit在Si衬底上。
相关资讯