NCE2014ES_NCE60P40F导读
内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。
日前发布的电感器特别适合用于2 MHz以下DC/DC 转换器能量存储，以及电感器自谐振频率（SRF）以下大电流滤波。该器件的应用包括笔记本电脑、台式电脑以及服务器；小型大电流电源；POL转换器；电池供电设备；分布式电源系统和 FPGA。
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NCE2060K
MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
。Vishay由Felix Zandman博士在1962年创立，以他自己的4千美元积蓄和其表兄Alfred P. Slaner的资助起家，不断发展成为纽约证券交易所上市的“财富1000 强企业”。该公司创始人Felix Zandman是一位科学家、发明家和企业家，拥有71项专利，写过四本书和许多论文，曾获得美国电子工业荣誉奖章，法国荣誉勋章等众多奖项。
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NCEP02580F
。Vantam的较新头戴耳机放大器支持较大384K/32 bit的PCM和较大11.2 MHz的DSD，同时让用户能够享受均衡音频的宽广音域和立体声效果。这些产品的外壳采用坚固的碳纤维加强材料，外形时尚，内部包含高性能运算放大器、头戴耳机放大器、DAC(数/模转换器)、数字声音采样(DSUS)和USB音频处理器。
。对于Vantam的模拟信号通道(包括低通滤波器[LPF]、负反馈电路[NFB]、前置放大器IC、IV转换器及头戴耳机放大电路)的微调，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式电阻。过去几年中，由于专注于提供音频性能差异化，该公司转向薄膜技术。去年，当VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF电阻(如图1所示)能够提供出色的声音质量后，开始指定使用Vishay产品。
Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺，在超高真空室内，在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积，这些器件可产生高很多的纵横比，进而导致沿着电阻的场强非常低。与厚膜电阻相比，通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善，这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz，如图2所示。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础，而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。要知道，局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
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MOS管在保护板中的作用是：1、检测过充电，2、检测过放电，3、检测充电时过电电流，4、检测放电时过电电流，5、检测短路时过电电流。
NCE3401的性能参数表现还是不错的，适用于作负载开关或脉宽调制应用，阻抗值也比较低，而且新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，可以与国外的MOS管相差无几，比如同样用在锂电池保护板中，NCE3401，AO3401，IRLML5203TR，DMP3098L-7，我认为相比较来看功能可以满足，并且价格适中的NCE3401更加合适。
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