分类 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V
状态 Not Recommended for New Designs
频率(最小) (MHz) 10
频率(最大) (MHz) 450
电源电压(典型值)(V) 50
1dB压缩点(典型值)(dBm) 40
1dB压缩点(典型值) (W) 10
测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 10.0 @ CW
测试信号 1-TONE
功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 23.9 @ 220
效率(典型值)(%) 62
热阻(规格)(℃/W) 3
匹配 unmatched
种类 AB
模具技术 LDMOS
应用 射频广播和ISM
