1.5KE180CA-E3/73_1.5KE180CA-E3/73导读
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。
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01N60J
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
01N60J 02012.2R5% 020-354-901 020N03LS 。
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060382K5%
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
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