TAJB156K010RNJ_TAJB156K010RNJ导读
IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。
TAJB156K010RNJ_TAJB156K010RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
TLJR226M010R3800
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
TAJB156K010RNJ_TAJB156K010RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
TAJE336M035RNJ
TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
TAJB156K010RNJ_TAJB156K010RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
相关资讯
