TAJB224K050RNJ_TAJB224K050RNJ导读
同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。
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TAJB156M006RNJ
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。 2）、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1）、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
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TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
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t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
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