类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
160A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
122 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10100 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-220SM（W）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
TK160F10
B14B-PH-K-S(LF)(SN)
B14B-PHDSS-B(LF)(SN)
B10P-VH(LF)(SN)
10P-SJN
PUDP-14V-S
PADP-16V-1-S
GHR-14V-S
ELR-04NV
ELP-12V
ELP-06V
B4P-VH
B3P-VH
ZHR-2
VLP-02V-1
PADP-14V-1-S
SYF-01T-P0.5A
B7B-PH-K-S
B4B-XH-2-TV4-Y
73495-3
VHR-6N
