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制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: SOT-32-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 500 mV
最大直流电集电极电流: 1.5 A
Pd-功率耗散: 1.25 W
增益带宽产品fT: -
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
系列: BD139
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
直流电流增益 hFE 最大值: 250
高度: 10.8 mm
长度: 7.8 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
2000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 2.7 mm
单位重量: 60 mg
IHLP6767GZER8R2MA1
LTC6268HS6-10#TRMPBF
IPL65R130C7
PBSS5350T
AP3GDL20HAB18TR
PBSS5350Z
KP2311ETR-G
MCP1416T-E/OT
OP162GSZ-REEL7
AP2142SG-13
PMS306416BTR-6CN
BK3211
TLC5602CDWR IC
XTR106U/2K5
STF16N65M2
V585ME08-LF
LM231N
PTN3460BS/F3
CC1150RST
SX28AC/SS
FS3004-7P
SMK630F
CYT8117T33-LF-3.3V
ADAU1401AWBSTZ-RL
STRVS185X02B
SS14-E3/61T
UCC27714DR
FH8510
FH8066802979703 SR2Z5
FH8065501516711S R1D2
FH8065503553601S R3H1
FH8065301487717S R1X6
SFR942PY002
NCP562SQ33T1G
HMC717LP3ETR
NSVD4001DR2G
NTB0104GU12
NTB0102GT
7443251000
EP2C5Q208C8N
G2116F11U
AD5342BRUZ
LTR100JZP IC
RSO-243.3SZ/H3
M62446AFP
AT24C08C-SSHM-T
TLP280-4GB
MKE04Z128VLH4
NE556DT
BCP51
SS24T3G
AT24C04C-PUM
AMC1100DUBR
CY14B101NA-ZS25XI
CY14B104NA-BA25XI
LMSP43MA-491
GM8160SF-BD
VP202
CC110LRTKT
CC110LRGPR
CC1101RGPT
CC1101RGPR
CC1100ERTKR
CC1110F8RHHR
CC1110F32RSPR
EMC5755
MAX17055EWL+
SFHG89GA002
AD8062AR
PTVS17VS1UR
DDZ15-7
DDZ15-7
XC9116B02AMR
LT1172CS8#PBF
GT910
MLX90251EVA
MLX90287KZC-AAA-000-RE
MC14021BDG
ATXMEGA64A3U-AU
LMNR5040T100M
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BB149
BZT52C5V1LP-7
AP2311GN
S9012 2T1
PESD24VL2BT
TL431G-AE2-R
LM50CIM3X/NOPB
SZMMBZ27VALT1G
LM4040AIM3X-5.0
BZT52C27S
BZT52C4V7 W7
BZT52C2V7 W1
BZT52C3V6 W4
TS5A22362DGSR
56300C
H5TQ4G83AFR-PBC IC
2N7002-7-F
DW9714A
L7915CV
