IPB011N04L G
品牌： Infineon/英飞凌
型号： IPB011N04L G封装： PG-TO263-7
批次： 21+
数量： 11000
制造商： Infineon
产品种类： MOSFET
RoHS： 是
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-263-7
通道数量： 1 Channel
晶体管极性： N-Channel
Vds-漏源极击穿电压： 40 V
Id-连续漏极电流： 180 A
Rds On-漏源导通电阻： 800 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压： 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V
Qg-栅极电荷： 346 nC
最小工作温度： - 55 C
最大工作温度： + 175 C
Pd-功率耗散： 250 W
配置： Single
通道模式： Enhancement
高度： 4.4 mm
长度： 10 mm
系列： OptiMOS 3
晶体管类型： 1 N-Channel
宽度： 9.25 mm
正向跨导 - 最小值： 180 S
下降时间： 21 ns
上升时间： 13 ns
典型关闭延迟时间： 106 ns
典型接通延迟时间： 25 ns
零件号别名： IPB011N04LGATMA1 SP000391498 IPB11N4LGXT IPB011N04LGATMA1
单位重量： 1.600 g
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STM32F051K8T6
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AD5235BRUZ250-R7
AD5592RBCBZ-RL7
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TPSM82821SILR
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