制造厂家名称：英飞凌INFINEON
类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET
功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A
（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 毫欧 @ 106A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：215nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9575pF @ 50V
功率 - 最大值：375W
安装类型：表面贴装
产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK
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