制造商产品型号：FGH60T65SHD-F155
制造商：ON Semiconductor
描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247
系列：晶体管 -
UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
电流-集电极脉冲(Icm)：180A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，60A
功率-最大值：349W
开关能量：1.69mJ（开），630μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：102nC
25°C时Td（开/关）值：26ns/87ns
测试条件：400V，60A，6 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：34.6ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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