型号：FGA40T65SHD
类别 分立半导体产品 单 IGBT
制造商
onsemi
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
268 W
开关能量
1.01mJ（开），297μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
72.2 nC
25°C 时 Td（开/关）值
19.2ns/65.6ns
测试条件
400V，40A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
31.8 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
深圳市腾浩伟业电子有限公司
TEL：13420935820
型号：FGA40T65SHD
